久留米工業大学

新着情報

本学のグループの研究成果が，国際半導体技術ロードマップ (注)に掲載されました。

本学教育創造工学科中村文彦教授のグループの成果"モット絶縁体Ca2RuO4の低電場スイッチング現象"（文献１）が，最新版の国際半導体技術ロードマップ2013年版（ International Technology Roadmap for Semiconductors 2013 Edition)に新しいメモリ・デバイス"モット・メモリ"のひとつとして紹介されました。今後，そのメカニズムの解明とともに省エネメモリやセンサ，音波発信器などの電子素子へ応用されることが期待されます。

　また，これに関連した研究成果を，本学教育創造工学科４年生毎熊将嗣君が１２月６日（土）に 崇城大学（熊本市）で開かれた日本物理学会九州支部例会で口頭発表いたしました。物理学会では，学部学生が口頭発表すること自体が珍しいのですが，毎熊君は講演・質疑を堂々とこなし，他大学の教員や院生から賛美の言葉をいただきました。

（文献１） F. Nakamura et al., Sci. Rep. 3, 2536 (2013).

（注）国際半導体技術ロードマップは，米国，日本，欧州，韓国，台湾の世界５極の専門家によって編集･作成されています。この報告書では，ムーアの法則を実現するのに予想される技術的な困難･問題点を予測し，その克服・回避に必要な技術の調査を目的に作られています。多くの半導体業界の技術者･研究者がこの報告書を基にして今後の進むべき方針を決めています。